DCDC转换器的功率级寄生效应解析

发布日期:2019-10-22 12:49   来源:未知   

  特性是主要的传导和辐射发射源。本文章系列 的第 2 部分回顾了 DC/DC 转换器的差模 (DM) 和共模 (CM) 传导噪声干扰。在电磁干扰 (E结果细分为 DM 和 CM 噪声分量,可以确定 DM 和 CM 两种噪声各自所占的比例,从而简化 EMI的设计流程。高频下的传导发射主要由 CM 噪声产生,该噪声的传导回路面积较大,进一步推动辐射发射的产生。

  在第 3 部分中,我将全面介绍降压稳压器电路中影响 EMI 性能和开关损耗的感性和容性寄生元素。通过了解相关电路寄生效应的影响程度,可以采取适当的措施将影响降至最低并减少总体 EMI 信号。一般来说,采用一种经过优化的紧凑型功率级布局可以降低 EMI,从而符合相关法规,还可以提高效率并降低解决方案的总成本。

  根据电源原理图进行电路板布局时,其中一个重要环节是准确找到高转换率电流(高 di/dt)回路,同时密切关注布局引起的寄生或杂散电感。这类电感会产生过大的噪声和振铃,导致过冲和地弹反射。图 1 中的功率级原理图显示了一个驱动高侧和低侧MOSFET(分别为 Q1 和 Q2)的同步降压控制器。

  以 Q1 的导通转换为例。在输入电容CIN 供电的情况下,Q1 的漏极电流迅速上升至电感电流水平,与此同时,从 Q2 的源极流入漏极的电流降为零。MOSFET 中红色阴影标记的回路和输入电容(图 1 中标记为“1”)是降压稳压器的高频换向功率回路或“热”回路 。功率回路承载着幅值和 di/dt 相对较高的高频电流,特别是在 MOSFET 开关期间。

  图 1 中的回路“2”和“3”均归类为功率 MOSFET 的栅极回路。具体来说,回路 2 表示高侧 MOSFET 的栅极驱动器电路(由自举电容 CBOOT 供电)。回路 3 表示低侧 MOSFET 栅极驱动器电路(由 VCC 供电)。这两条回路中均使用实线绘制导通栅极电流路径,以虚线绘制关断栅极电流路径。

  EMI 问题通常涉及三大要素:干扰源、受干扰者和耦合机制。干扰源是指 dv/dt 和/或 di/dt 较高的噪声发生器,受干扰者指易受影响的电路(或 EMI 测量设备)。耦合机制可分为导电和非导电耦合。非导电耦合可以是电场(E 场)耦合、磁场(H 场)耦合或两者的组合 - 称为远场 EM 辐射。近场耦合通常由寄生电感和电容引起,可能对稳压器的 EMI 性能起到决定性作用,影响显著。

  功率 MOSFET 的开关行为以及波形振铃和 EMI 造成的后果均与功率回路和栅极驱动电路的部分电感 相关。图 2 综合显示了由元器件布局、器件封装和印刷电路板(PCB) 布局产生的寄生元素,这些寄生元素会影响同步降压稳压器的 EMI 性能。

  图 2:降压功率级和栅极驱动器的“剖析原理图”(包含感性和容性寄生元素)。

  有效高频电源回路电感 (LLOOP) 是总漏极电感 (LD)、共源电感 (LS)(即输入电容和 PCB 走线的等效串联电感 (ESL))和功率 MOSFET 的封装电感之和。按照预期,LLOOP 与输入电容MOSFET 回路(图 1 中的红色阴影区域)的几何形状布局密切相关 。

  与此同时,栅极回路的自感 LG 由 MOSFET 封装和 PCB 走线 中可以看出,高侧 MOSFET Q1 的共源电感同时存在于电源和栅极回路中。Q1 的共源电感产生效果相反的两种反馈电压,分别控制 MOSFET 栅源电压的上升和下降时间,因此降低功率回路中的 di/dt。然而,这样通常会增加开关损耗,因此并非理想方法 。

  公式 1 为影响 EMI 和开关行为的功率 MOSFET 输入电容、输出电容和反向传输电容三者之间的关系表达式(以图 2 中的终端电容符号表示)。在 MOSFET 开关转换期间,这种寄生电容需要幅值较高的高频电流。

  公式 2 的近似关系表达式表明,COSS 与电压之间存在高度非线 给出了特定输入电压下的有效电荷 QOSS,其中 COSS-TR 是与时间相关的有效输出电容,与部分新款功率 FET 器件 [10] 的数据表中定义的内容一致。

  图 2 中的另一个关键参数是体二极管DB2 的反向恢复电荷 (QRR),该电荷导致 Q1 导通期间出现显著的电流尖峰。QRR 取决于许多参数,包括恢复前的二极管正向电流、电流转换速度和芯片温度。一般来说,MOSFET QOSS 和体二极管 MOSFET QOSS 会为分析和测量过程带来诸多难题。在 Q1 导通期间,为 Q2 的 COSS2 充电的前沿电流尖峰和为 QRR2 供电以恢复体二极管DB2 的前沿电流尖峰具有类似的曲线图,因此二者常被混淆。

  表 1 列出了三个粗略定义的频率范围,开关模式电源转换器在这三种频率范围内激励和传播 EMI [5]。在功率 MOSFET 开关期间,当换向电流的转换率超过 5A/ns 时,2nH 寄生电感会导致 10V 的电压过冲。此外,功率回路中的电流具有快速开关边沿(可能存在与体二极管反向恢复和 MOSFET COSS 充电相关的前沿振铃),其中富含谐波成分,产生负面影响严重的 H 场耦合,导致传导和辐射 EMI 增加。

  噪声耦合路径主要有以下三种:通过直流输入线路传导的噪声、来自功率回路和电感的 H 场耦合以及来自开关节点铜表面的 E 场耦合 [7]。

  如第 2 部分所述,开关节点电压的上升沿和下降沿分别是非隔离式转换器中 CM 噪声和 E 场耦合的主要来源。在EMI 分析中,设计者最关注电源转换器噪声发射的谐波含量上限或“频谱包络”,而非单一谐波分量的幅值。借助简化的开关波形分析模型,我们可以轻松确定时域波形参数对频谱结果的影响。

  为了解与开关节点电压相关的谐波频谱包络,图 3 给出了近似的时域波形。每一部分均由其幅值 (VIN)、占空比 (D)、上升和下降时间(tR 和 tF)以及脉宽 (t1) 来表示。其中,脉宽的定义为上升沿中点与下降沿中点的间距。

  傅立叶分析结果表明,谐波幅值包络为双 sinc 函数,转角频率为 f1 和 f2,具体取决于时域波形 的脉宽和上升/下降时间。对于降压开关单元的各个输入电流波形,可以应用类似的处理方法。测得的电压和电流波形中相应的频率分量可以表示开关电压和电流波形边沿处的振铃特性(分别由寄生回路电感和体二极管反向恢复产生)。

  图 3:开关节点电压梯形波形及其频谱包络(受脉宽和上升/下降时间影响)。

  一般来说,电感 LLOOP 会增加 MOSFET 漏源峰值电压尖峰,并且还会加剧开关节点的电压振铃,影响 50MHz 至 200MHz 范围内的宽带 EMI。在这种情况下,最大限度缩减功率回路的有效长度和闭合区域显得至关重要。这样不仅可减小寄生电感,而且还可以减少环形天线结构发出的磁耦合辐射能量,从而实现磁场自消除。

  稳压器输入端基于回路电感比率发生传导噪声耦合,而输入电容 ESL 决定滤波要求。减小 LLOOP 会增加输入滤波器的衰减要求。幸运的是,如果降压输出电感的自谐振频率 (SRF) 较高,传导至输出的噪声可降至最低。换言之,电感应具有较低的有效并联电容 (EPC),以便在从开关节点到 VOUT 的网络中获得较高的传输阻抗。此外,还会通过低阻抗输出电容对输出噪声进行滤波。

  根据图 4 所示的同步降压稳压器时域开关节点的电压波形可知,MOSFET 开关期间传输的寄生能量会激发 RLC 谐振。右侧的简化等效电路用于分析 Q1 导通和关断时的开关行为。从电压波形中可以看出,上升沿的开关节点电压明显超出 VIN,而下降沿的开关节点电压明显低于接地端 (GND)。

  振荡幅值取决于部分电感在回路内的分布,回路的有效交流电阻会抑制随后产生的振铃。这不仅为 MOSFET 和栅极驱动器提供电压应力,还会影响宽带辐射 EMI 的中心频率。

  图 4:MOSFET 导通和关断开关转换期间的同步降压开关节点电压波形及等效 RLC 电路。

  根据图 4 中的上升沿电压过冲计算可得,振铃周期为 6.25ns,对应的谐振频率为 160MHz。男子在大连411公交车上昏厥!医院门前的监控视频记录下了和生命,此外,将一个近场 H 探头直接放在开关回路区域上方也可以识别该频率分量。利用计算型EM 场仿线],可以推导出与高频谐振和辐射发射相关的部分回路电感值。不过,还有一种更简单的方法。这种方法需要测量谐振周期 TRing1 并从 MOSFET 数据表中获取输入电压工作点的 COSS2,然后利用公式 4 计算总回路电感。

  其中两个重要因素是谐振频率以及谐振固有的损耗或阻尼因子 。主要设计目标是通过最大限度减小回路电感尽可能提升谐振频率。这样可以降低存储的无功能量总值,减少谐振开关节点电压峰值过冲。此外,在趋肤效应的作用下,较高频率处的阻尼因子增大,提升 RLOOP 的有效值。

  尽管氮化镓(GaN) 功率级同步降压转换器通常在低于 3MHz 的频率下切换开关状态,但产生的宽带噪声和 EMI 往往高达 1GHz 甚至更高。EMI 主要由其快速开关的电压和电流特性所致。实际上,器件开关波形的高频频谱成分是获取 EMI 产生电位指示的另一种途径,它能够指明 EMI 与开关损耗达到良好权衡的结果。

  首先从原理图中确定关键的转换器开关回路,然后在 PCB 转换器布局设计过程中尽量缩减这些回路的面积,从而减少寄生电感和相关的 H 场耦合,降低传导和辐射 EMI。

  在这篇系列文章的后续章节中,将通过多种 DC/DC 转换器电路重点介绍改善 EMI 性能矢量的系统级和集成电路(IC) 的特定功能。缓解传导 EMI 的措施通常也可以改善辐射 EMI,这两方面经常相互促进的。

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  AMC1302-Q1是一款精密隔离放大器,带有电容隔离栅,具有很高的抗磁干扰能力。该屏障提供5 kV RMS (最大)的增强隔离,具有非常长的寿命和低功耗。当与隔离电源一起使用时,该器件隔离了在不同共模电压电平下工作的元件。此外,AMC1302-Q1还可以保护低压器件免受损坏。 AMC1302-Q1的输入经过优化用于直接连接分流电阻器或其他低电压电平信号源。 ±50mV的输入电压范围可显着降低分流器的功耗。此外,AMC1302-Q1的低端电源电流和电压允许使用低成本的隔离电源解决方案。该器件的性能支持精确的电流控制,从而实现系统级功耗节省和低转矩纹波,这在电机控制应用中尤为重要。 AMC1302-Q1的集成输入共模过压和低侧电源电压检测功能简化了系统级诊断。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求: 温度等级1:-40°C至125°C,TA ±50 mV输入电压范围,用于低耗散,基于分流电阻的电流测量 固定增益低漂移:41±0.3%,±50 ppm /°C 低输入失调和漂移:±100μV,±0.8μV/°C 低非线 V电源下工作时极低的隔离高侧功耗 系统级诊断功能 安全相关认证: 7071-V PK 根据DI...

  OPAx187系列运算放大器采用自动归零技术,可在时间和温度范围内同步提供低失调电压(1μV)以及近似为零的漂移。此类微型,高精度,低静态电流放大器提供高输入阻抗和流入高阻抗负载的摆幅在5mV电源轨范围内的轨道轨道输出。输入共模范围包括负电源轨。单电源或双电源可在4.5V至36V(±2.25V至±18V)范围内使用。 OPAx187器件的单通道版本采用微型8引脚超薄小外形尺寸(VSSOP)封装,5引脚SOT- 23封装和8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装。双通道版本采用8引脚VSSOP和8引脚SOIC封装。四通道版本采用14引脚SOIC,14引脚TSSOP和16引脚WQFN封装。所有器件版本的额定工作温度范围均为-40°C至+ 125°C。 特性 低失调电压:10μV(典型值) 零漂移:0.001μV/°C低噪声:20 nV /√ Hz 电源抑制比(PSRR):160dB 共模抑制比(CMRR):140dB AOL:160dB 静态电流:100μA 宽电源电压:±2.25V至±18V 轨至轨输出运行 输入包括负电源轨 低偏置电流:100pA(典型值) 已滤除电磁干扰(EMI)的输入 微型封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 精密...

  INA1650(双通道)和INA1651(单通道)SoundPlus™音频线dB的超高共模抑制比(CMRR),同时对于22dBu信号电平可在1kHz时保持-120dB的超低THD + N.片上电阻器的高精度匹配特性为INA165x器件提供了出色的CMRR性能。这些电阻器具有远远优于外部组件的匹配特性,并且不受印刷电路板(PCB)布局所导致的失配问题的影响。不同于其他线x CMRR在额定温度范围内能保持特性不变,经生产测试可在各种应用中提供始终如一的性能。 INA165x器件支持±2.25V到±18V的宽电源电压范围,电源电流为10.5mA。除线路接收器通道之外,INA165x器件还包含一个缓冲的中间电压基准输出,因此可将其配置为用于双电源或单电源应用。中间电源输出可用作信号链中其他模拟电路的偏置电压。这些器件的额定温度范围为-40°C至125°C。 特性 高共模抑制: 91dB(典型值) 高输入阻抗:1MΩ差分 超低噪声:-104.7dBu,未加权 超低总谐波失线dB THD + N(22dBu,22kHz带宽) 高带宽:2.7MHz 低静态电流:6mA(INA1651,典型值) 短路保护 集成电磁干扰(EMI)滤波器 宽电源电压...

  TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...

  TPS7A25低压差线性稳压器(LDO)引入了2.4 V至18 V输入电压范围的独特组合,具有极低的静态电流(I Q )。这些功能更好地帮助现代设备满足日益严格的能源需求,并有助于延长便携式电源解决方案的电池寿命。 TPS7A25有固定版和可调版两种版本。固定电压版本消除了外部电阻,有助于最大限度地减少印刷电路板(PCB)面积。对于更高灵活性或更高输出电压,可调版本使用反馈电阻将输出电压设置为1.24 V至17.64 V.两种版本均具有1%的输出调节精度,可为大多数微控制器(MCU)提供精确调节。 TPS7A25 LDO的工作效率高于标准线 mA电流下,最大压差低于360 mV。从5.4 V输入电压(V IN )到5.0 V输出电压(V OUT ),此最大压差电压允许92.5%的效率。 电源就绪(PG)指示灯可用于将MCU保持在复位状态,直到电源正常或用于排序。 PG引脚为漏极开路输出;因此,引脚很容易移位,以便通过V OUT 以外的轨道进行监控。内置电流限制和热关断有助于在负载短路或故障时保护稳压器。 特性 超低I Q :2.5μA 输入电压:2.4 V至18 V 提供输出电压选项: 固定:1.25 V至5 V 可调:1.24 V至1...

  INA821是一款高精度仪表放大器,可实现低功耗并且可在较宽的单电源或双电源电压范围内运行。可通过单个外部电阻器在1到10,000范围内设置任意增益。由于采用新的超β输入晶体管(这些晶体管可提供较低的输入失调电压,失调电压漂移,输入偏置电流以及输入电压和电流噪声),该器件可提供出色的精度。附加电路可以为输入提供高达±40V的过压保护。 INA821经过优化,可提供出色的共模抑制比。当G = 1时,整个输入共模范围内共模抑制比超过90dB。该器件可在4.5V单电源和高达±18V的双电源供电情况下实现低电压运行821可提供8引脚SOIC封装,额定温度范围为-40° C至+ 125°C。 特性 低失调电压:35μV(最大值) 增益漂移:5ppm /°C(G = 1), 50ppm /°C(G> 1) 噪声:7nV /√ Hz 带宽:5.6MHz(G = 1),280kHz(G = 100) 与1nF容式负载一起工作时保持稳定 输入保护电压高达±40V 共模抑制:110dB,G = 10(最小值) 电源抑制:110dB,G = 1(最小值) 电源电流:650μA(最大值) 电源范围: 单电源:4.5 V至36 V 双电源:±2.25V至±18V 额定温度范围: - 40°C至+ 125°C 封装:8引脚SOIC...

  TLV600x-Q1系列单通道和双通道运算放大器专为通用汽车应用而设计。具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(典型值75μA),宽带宽(1 MHz)和低噪声(1 kHz时为28nV /√Hz),该系列产品具有多种吸引力需要在成本和性能之间取得平衡的汽车应用,例如信息娱乐系统,发动机控制单元和汽车照明。低输入偏置电流(典型值±1 pA)使TLV600x-Q1能够用于具有兆赫源阻抗的应用。 TLV600x-Q1的稳健设计为电路设计人员提供了易用性:单位增益稳定性,高达150 pF的容性负载,集成RF /EMI抑制滤波器,过载条件下的nophase反转和高静电放电(ESD)保护(4kVHBM)。 器件经过优化,可在低至1.8 V(±0.9 V)和高达5.5 V(±2.75 V)的电压下工作),在-40°C至+ 125°C的扩展温度范围内指定。 单通道TLV6001-Q1采用SC70-5封装,双通道TLV6002- Q1采用SOIC和VSSOP封装。 特性 AEC-Q100符合汽车应用要求 器件温度等级1:-40°C至+ 125°C,T A 设备HBM ESD分类级别3A 设备CDM ESD分类级别C6 通用用于成本敏感系统的放大器 电源范围:1.8 V至5.5 V 增益带宽:1 MHz 低...

  OPA859是一款具有CMOS输入的宽带低噪声运算放大器,适用于宽带跨阻和电压放大器应用。将该器件配置为跨阻放大器(TIA)时,0.9GHz增益带宽积(GBWP)能够在低电容光电二极管应用中实现高闭环带宽。 下图展示了在将OPA859设置为TIA时该放大器的带宽和噪声性能与光电二极管电容的函数关系。计算总噪声时的带宽范围为从直流到左轴上计算得出的频率f.OPA859封装具有一个反馈引脚(FB),可简化输入和输出之间的反馈网络连接。 OPA859经过优化,可在光学飞行时间(ToF)系统中运行,在该系统中OPA859与时数转换器(如TDC7201)配合使用。可在具有差分输出放大器(如THS4541或LMH5401)的高分辨率激光雷达系统中使用OPA859来驱动高速模数转换器(ADC)。 特性 高单位增益带宽:1.8GHz 增益带宽积:900MHz 超低偏置电流MOSFET输入:10pA 低输入电压噪声:3.3nV /√ Hz 压摆率:1150V /μs 低输入电容: 共模:0.6pF 差动:0.2pF 宽输入共模范围:与正电源相差1.4V 包括负电源 TIA配置下的输出摆幅为2.5V PP 电源电压范围:3.3V至5.25V 静态电流:20.5mA ...

  TPS23755器件结合了以太网供电(PoE)供电设备(PD)接口,150V开关功率FET和电流模式DC-直流控制器针对反激拓扑进行了优化高度集成以及初级侧调节(PSR),扩频频率抖动(SSFD)和高级启动使得TPS23755成为尺寸受限应用的理想解决方案。 PoEimplementation支持IEEE 802.3at标准作为13W,Type 1 PD。 DC-DC控制器的PSR功能使用来自辅助绕组的反馈来控制输出电压,无需外部并联稳压器和光耦合器。它针对二次侧二极管整流器(通常为12 V输出或更高)进行了优化。通常,变频器以250 kHz的开关频率在连续导通模式(CCM)下工作。 SFFD和压摆率控制有助于最大限度地降低EMI滤波器的尺寸和成本。高级启动允许使用最小的偏置电容,同时简化转换器启动和设计。 辅助电源检测功能为次级侧电源适配器提供优先级,同时确保与PoE输入电源的平滑过渡,无效或热权衡。 DC-DC控制器具有内部软启动,斜率补偿和消隐功能。对于非隔离应用,TPS23755也支持降压拓扑。 特性 完整的IEEE 802.3at PD解决方案,适用于Type 1 PoE 以太网联盟(EA)徽标认证设计 稳健的100V,0.36Ω(典型值)热插拔MOSF...

  TMP122是一款兼容SPI的温度传感器,采用SOT23-6封装。 TMP122温度传感器仅需要一个上拉电阻即可实现完整功能,能够在55°C至125°C的温度范围内测量2°C范围内的温度,工作温度高达150°C。可编程分辨率,可编程设定点和关闭功能为任何应用提供多功能性。低电源电流和2.7 V至5.5 V的电源电压范围使TMP122成为低功耗应用的理想选择。 TMP122是各种通信,计算机,消费电子产品中扩展热测量的理想选择。环境,工业和仪器应用。 特性 数字输出:SPI兼容接口 可编程分辨率:9到12位+符号 精度:±150°C,150°C; 25°C至85°C(最大值)±2.0°C,温度范围为?55°C至125°C(最大值) 低静态电流: 50μA 宽电源范围:2.7 V至5.5 V 微型SOT23-6封装 工作温度至150°C 可编程高/低设定点 应用 电源温度监控 计算机外围热保护 笔记本电脑 手机 电池管理 办公机器 恒温器控制器 环境监控和HVAC 机电设备温度 支持国防,航空和医疗应用 受控基线 一个装配/测试现场 一个制造现场 军用(?? 55°C /125°C)温度范围(1) Exte产品生命周期 扩展产品变更通知 产品可追溯性 (1)可提供更多温度范围 - 联系工...

  LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...

  TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...

  LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...

  TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V< V IT - ≤3.1V= 100mV(典...

  INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish

  一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...

  LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度

  针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入

  用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...

  AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...

  OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nVPP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...

  TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...

  DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 霍尔效应锁存器和开关   Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...

  TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...

  这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...

  LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

  TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) < 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...

  LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...

  LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV

  共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号

  严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比 通用 运算放大器   Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...

  LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...